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元件参数资料
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参数目录49901
> DMG4800LFG-7 MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
型号:
DMG4800LFG-7
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Diodes Inc
描述:
MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
DMG4800LFG-7 PDF
产品变化通告
Bond Wire Change 11/Nov/2011
标准包装
3,000
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
7.44A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
17 毫欧 @ 9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
9.47nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
798pF @ 10V
功率 - 最大
940mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-UDFN 裸露焊盘
供应商设备封装
8-DFN3030(3x3)
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
DMG4800LFG-7DITR
查看DMG4800LFG-7代理商
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